接近傳感器金屬應變片和半導體應變計的區(qū)別是什么?

　　(1)靜態(tài)特性不同：金屬應變靈敏系數(shù)K和外力f是獨立的方向只有絕力F與尺寸小于應變計是由電阻絲的靈敏度系數(shù)Ks和應變的量與K相等的長度值敏感的門不完全平等。同時具有橫向效應和橫向影響系數(shù)(小時)、機械滯后、零源和蠕變現(xiàn)象和應變半導體薄膜具有應變電阻特性、電阻溫度特性、敏感系數(shù)、溫度特性等。

　　(2)該結(jié)構(gòu)是不同的：金屬應變計是由一個敏感的柵極，一個基板，一個覆蓋層，引線和一個接合劑，它是由一個單一的晶體硅。

　　(3)溫度誤差及其補償方法不同：主要以自我補償法生產(chǎn)金屬應變片(單絲自補償法和雙絲自補償法)，對橋路補償法(補償法和差分補償方法)，熱電阻補償方法;與電阻溫度系數(shù)補償方法和靈敏度系數(shù)的溫度補償方法半導體應變計。

　　(4)應變片的不同金屬的工作原理是通過外力作用的工作使電阻值的變化，半導體應變計對不同類型的半導體廣闊和不同方向的外力，創(chuàng)造的壓阻效應，使電阻率變化。